MOSFET内阻RDS如何计算？ MOSFET（金属氧化物半导体场效应管）是一种广泛应用于电子电路中的器件，其导通电阻Rds(ON)是评估其性能的重要参数之一，计算MOSFET的内阻（即导通电阻Rds(ON)）并非一个直接且简单的过程，因为它受到多种因素的影响，包括栅极源极间电压（VGS）、温度、封装尺寸以及耐压等，一、MOSFET...
