fqd4n60c的使用方法是什么？ FQD4N60C 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，以下是其详细使用方法：1、基本参数封装形式：采用 TO-252 封装，电压电流参数：漏源电压 \(V_{DS}\) 为 600V，连续漏极电流 \(I_D\) 为 4A，导通电阻：最大导通电阻 \(R_{DS(on)}\) 为 \(4\Om...
