如何区分MOS管与IGBT管? 结构方面MOS管:是金属-氧化物-半导体场效应晶体管,属于单极器件,只有一种载流子(N沟道或P沟道)参与导电,其导通电阻较大,在高压大电流场合功耗较大,IGBT管:是一种由双极结型三极管(BJT)和绝缘栅型场效应管(MOSFET)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,结合了MOSFET的输入阻抗...