漏源击穿电压的测试方法是什么？ 漏源击穿电压（BVDSS）是指MOSFET在特定条件下，漏极和源极之间能够承受的最大电压，而不超过其额定的击穿电压，这一参数对于功率MOSFET尤为重要，因为它直接关系到器件的可靠性和使用寿命，计算漏源击穿电压需要综合考虑多个因素，包括温度、漏电流、栅极电压等，漏源击穿电压的影响因素1、衬底掺杂浓度...
