单向可控硅的关键参数有哪些？
摘要：
单向可控硅（SCR，Silicon Controlled Rectifier）是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件，具有体积小、效率高、寿命长等优点，其参数众多，了解这些参数对... 单向可控硅（SCR，Silicon Controlled Rectifier）是一种广泛应用于电力电子领域的半导体器件，具有体积小、效率高、寿命长等优点，其参数众多，了解这些参数对于正确选择和应用单向可控硅至关重要，以下是对单向可控硅主要参数的详细介绍：
| 参数 | 描述 |
| 额定通态平均电流IT(AV) | 在环境温度为+40℃及规定的散热条件下，阳极和阴极间可连续通过的50赫兹正弦半波电流的平均值。 |
| 正向阻断峰值电压VPF | 控制极开路未加触发信号时，可以重复加在可控硅两端的正向峰值电压。 |
| 反向阴断峰值电压VPR | 当可控硅加反向电压，处于反向关断状态时，可以重复加在可控硅两端的反向峰值电压。 |
| 控制极触发电压UGT | 在室温下，阳极和阴极间加6伏电压时，使可控硅从截止变为导通所需的最小控制极直流电压。 |
| 控制极触发电流IGT | 在室温下，阳极和阴极间加6伏电压时，使可控硅从截止变为导通所需的控制极最小直流电流。 |
| 维持电流IH | 在室温和控制极断路时，可控硅从较大的通态电流降至刚好能保持元件处于通态的最小电流。 |
| 结温Tjm | 可控硅的最高允许结温。 |
| 断态重复峰值电压UPFV | 在控制极断开和正向阻断的条件下，阳极和阴极间可重复施加的正向峰值电压。 |
| 反向重复峰值电压UPRV | 在控制极断开的条件下，阳极和阴极之间可重复施加的反向峰值电压。 |
单向可控硅作为一种重要的半导体器件，在电力电子领域发挥着不可替代的作用，了解其各项参数对于正确选择和应用单向可控硅至关重要，在实际使用中，应根据具体应用场景和需求来选择合适的单向可控硅型号，并确保其工作参数符合设计要求。
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作者:豆面本文地址：https://www.jerry.net.cn/jerry/1108.html发布于 2024-12-02 18:19:17
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