可控硅阻容怎么配，如何配置可控硅的阻容？

摘要： 可控硅阻容吸收电路是一种用于保护可控硅（晶闸管）的电路，主要通过并联RC串联网络来限制电压上升率，确保可控硅的安全运行，以下是关于可控硅阻容吸收电路配置的详细解答：一、为什么需要阻...

可控硅阻容吸收电路是一种用于保护可控硅（晶闸管）的电路，主要通过并联RC串联网络来限制电压上升率，确保可控硅的安全运行，以下是关于可控硅阻容吸收电路配置的详细解答：

一、为什么需要阻容吸收电路？

1、限制电压上升率：可控硅有一个重要特性参数——断态电压临界上升率dlv/dlt，它表明在额定结温和门极断路条件下，使可控硅从断态转入通态的最低电压上升率，若电压上升率过大，超过了可控硅的电压上升率的值，即使在无门极信号的情况下，可控硅也可能误导通，即发生硬开通现象，这是不允许的。

2、保护可控硅：由于电路中总是存在电感（如变压器漏感或负载电感），当可控硅关断时，这些电感会产生感应电动势，可能导致过电压损坏可控硅，阻容吸收电路可以吸收这些过电压，保护可控硅。

二、阻容吸收元件的选择

1、电容的选择：

计算公式：C = (2.55) × 10^(8) × If，其中If = 0.367Id，Id为直流电流值。

对于整流侧采用500A的晶闸管，可以计算得到C = (2.55) × 10^(8) × 500 = 1.252.5μF，通常选用2.5μF，耐压值选择1kV的电容器。

2、电阻的选择：

计算公式：R = ((24) × 535) / If = 2.148.56Ω。

对于上述500A的晶闸管，可以选择10欧姆的电阻。

电阻的功率损耗PR可以通过公式PR = (1.5 × (pfv × 2πfc)^2 × 10^(12)) × R来计算，其中Pfv为三相电压的有效值。

3、时间常数：

阻容吸收回路在实际应用中，RC的时间常数一般情况下取1~10毫秒，小功率负载通常取2毫秒左右，R=220欧姆/2W，C=0.01微法/400~630V；大功率负载通常取10毫秒，R=10欧姆/20W，C=1微法/630~1000V。

三、阻容吸收电路的原理

阻容吸收电路主要由电阻和电容组成，当可控硅与电源正极相连时，需要通过触发电流来使可控硅导通，阻容触发电路通过改变电阻和电容的数值以及连接方式，来实现触发电流的控制，电容两端电压不能突变的特性可以用来限制电压上升率，而与电容串联的电阻则起到阻尼作用，防止R、L、C电路在过渡过程中因振荡在电容器两端出现过电压损坏可控硅。

四、实际应用中的注意事项

1、选择合适的耐压值：在选择电容器时，一定要注意合适的耐压值，尽量选择高些以免损坏。

2、考虑负载类型：阻容吸收电路的时间常数应根据负载类型进行选择，小功率负载和大功率负载的时间常数有所不同。

3、避免过电流：在设计阻容吸收电路时，还需要考虑避免电容器通过可控硅放电电流过大，造成过电流而损坏可控硅。

可控硅阻容吸收电路的配置需要综合考虑电压上升率、可控硅的额定参数、电路中的电感以及负载类型等因素，通过合理选择电阻和电容的数值以及连接方式，可以有效地保护可控硅免受过电压和过电流的损害。