本文作者:豆面

如何正确使用Cy62256芯片?

豆面 2024-11-21 20:31:12 21
如何正确使用Cy62256芯片?摘要: CY62256是一个32K*8位的静态RAM,适合一些小的项目和给一些RAM不大的MCU使用,以下是关于如何使用CY62256的详细指南:一、基本参数与特性1、存储容量:32K*8...

CY62256是一个32K*8位的静态RAM,适合一些小的项目和给一些RAM不大的MCU使用,以下是关于如何使用CY62256的详细指南:

一、基本参数与特性

如何正确使用Cy62256芯片?

1、存储容量:32K*8位。

2、温度范围:商业级0°C至+70°C;工业级40°C至+85°C;汽车A级40°C至+85°C;汽车E级40°C至+125°C。

3、速度:高速,55ns。

4、电压范围:4.5V至5.5V操作。

5、低功耗:最大275mW(活跃状态),低待机功率82.5µW(LL版本)。

6、封装形式:Pbfree和非Pbfree 28引脚PDIP,28引脚窄SOIC,28引脚TSOP I,28引脚反向TSOP I。

二、引脚定义与功能

1、地址线:共有15根地址线,其中9根为行地址线(A2A10),6根为列地址线(A0A1, A11A14)。

2、数据线:8根双向数据线(D0D7)。

如何正确使用Cy62256芯片?

3、控制线:CE(片选信号),WE(写使能信号),OE(输出使能信号)。

三、读写操作步骤

写数据

1、初始化:设置地址线和控制线为正确的初始状态,如CE为低电平,WE根据需求设置为高或低。

2、选择地址:通过地址线发送要写入数据的地址。

3、写操作:将WE信号拉低,然后通过数据线将要写入的数据送出,在数据稳定后,释放WE信号,完成写操作。

读数据

1、初始化:设置地址线和控制线为正确的初始状态,如CE为低电平,OE根据需求设置为高或低。

2、选择地址:通过地址线发送要读取数据的地址。

如何正确使用Cy62256芯片?

3、读操作:将OE信号拉低,然后通过数据线读取来自CY62256的数据,注意,在读操作期间,WE信号应保持高电平,读取完成后,恢复OE信号至高电平。

四、示例代码

以下是使用STC89C51单片机对CY62256进行读写操作的示例代码:

//Control Pin
sbit WE=P3^5; //写使能信号
sbit OE=P3^4; //输出使能信号
sbit CE=P3^3; //片选信号
//Row Address
sbit A2=P2^0;
sbit A3=P2^1;
sbit A4=P2^2;
sbit A5=P2^3;
sbit A6=P2^4;
sbit A7=P2^5;
sbit A8=P2^6;
sbit A9=P2^7;
sbit A10=P3^7;
//Column Address
sbit A0=P1^0;
sbit A1=P1^1;
sbit A11=P1^2;
sbit A12=P1^3;
sbit A13=P1^4;
sbit A14=P1^5;
//写行地址
void SetAddressRow(unsigned int Address) {
    A2 = Address & 0x0001;
    A3 = Address & 0x0002;
    A4 = Address & 0x0004;
    A5 = Address & 0x0008;
    A6 = Address & 0x0010;
    A7 = Address & 0x0020;
    A8 = Address & 0x0040;
    A9 = Address & 0x0080;
    A10 = Address & 0x0100;
}
//写列地址
void SetAddressColumn(unsigned char Address) {
    A0 = Address & 0x01;
    A1 = Address & 0x02;
    A11 = Address & 0x04;
    A12 = Address & 0x08;
    A13 = Address & 0x10;
    A14 = Address & 0x20;
}
//写数据
void WriteDate(unsigned char Date) {
    P0 = Date;
}
//向CY62256里某一地址写数据
void WriteToCy62256(unsigned char ColumnAddress, unsigned int RowAddress, unsigned char Date) {
    SetAddressRow(RowAddress);
    SetAddressColumn(ColumnAddress);
    CE = 0; //片选有效
    OE = 1; //输出使能无效(写操作)
    WE = 0; //写使能有效
    WriteDate(Date); //写入数据
    WE = 1; //写使能无效
    CE = 1; //片选无效
}
//从CY62256里某一地址读数据
unsigned char ReadFromCy62256(unsigned char ColumnAddress, unsigned int RowAddress) {
    unsigned char Date = 0;   
    SetAddressRow(RowAddress);
    SetAddressColumn(ColumnAddress);
    CE = 0; //片选有效
    OE = 0; //输出使能有效(读操作)
    Date = P0; //读取数据
    CE = 1; //片选无效
    OE = 1; //输出使能无效(读操作完成)
    return Date; //返回读取的数据
}

五、常见问题解答(FAQs)

Q1: CY62256的读写时序是怎样的?

A1: CY62256的读写时序如下:

写数据:先准备好地址,然后拉低CE和WE线,通过数据线发送数据,最后拉高WE线完成写操作,连续写数据时,可以保持CE低电平,通过WE的高低电平来控制数据的写入。

读数据:先准备好地址,然后拉低CE和OE线,通过数据线读取数据,最后拉高OE线完成读操作,注意,在更换地址读取数据时,数据的准备不是立即完成的,而是需要经过一段时间之后才有效。

Q2: 如何扩展CY62256的RAM空间?

A2: 可以通过位扩展技术来扩展CY62256的RAM空间,使用两片CY62256芯片通过位扩展技术可以将RAM空间扩展到64KB*16bit,具体实现方式包括连接地址线、锁存器应用、数据传输和编写相应的汇编程序来完成存储器的扩展。

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作者:豆面本文地址:https://www.jerry.net.cn/articals/51.html发布于 2024-11-21 20:31:12
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