如何正确使用Cy62256芯片?
CY62256是一个32K*8位的静态RAM,适合一些小的项目和给一些RAM不大的MCU使用,以下是关于如何使用CY62256的详细指南:
一、基本参数与特性
1、存储容量:32K*8位。
2、温度范围:商业级0°C至+70°C;工业级40°C至+85°C;汽车A级40°C至+85°C;汽车E级40°C至+125°C。
3、速度:高速,55ns。
4、电压范围:4.5V至5.5V操作。
5、低功耗:最大275mW(活跃状态),低待机功率82.5µW(LL版本)。
6、封装形式:Pbfree和非Pbfree 28引脚PDIP,28引脚窄SOIC,28引脚TSOP I,28引脚反向TSOP I。
二、引脚定义与功能
1、地址线:共有15根地址线,其中9根为行地址线(A2A10),6根为列地址线(A0A1, A11A14)。
2、数据线:8根双向数据线(D0D7)。
3、控制线:CE(片选信号),WE(写使能信号),OE(输出使能信号)。
三、读写操作步骤
写数据
1、初始化:设置地址线和控制线为正确的初始状态,如CE为低电平,WE根据需求设置为高或低。
2、选择地址:通过地址线发送要写入数据的地址。
3、写操作:将WE信号拉低,然后通过数据线将要写入的数据送出,在数据稳定后,释放WE信号,完成写操作。
读数据
1、初始化:设置地址线和控制线为正确的初始状态,如CE为低电平,OE根据需求设置为高或低。
2、选择地址:通过地址线发送要读取数据的地址。
3、读操作:将OE信号拉低,然后通过数据线读取来自CY62256的数据,注意,在读操作期间,WE信号应保持高电平,读取完成后,恢复OE信号至高电平。
四、示例代码
以下是使用STC89C51单片机对CY62256进行读写操作的示例代码:
//Control Pin sbit WE=P3^5; //写使能信号 sbit OE=P3^4; //输出使能信号 sbit CE=P3^3; //片选信号 //Row Address sbit A2=P2^0; sbit A3=P2^1; sbit A4=P2^2; sbit A5=P2^3; sbit A6=P2^4; sbit A7=P2^5; sbit A8=P2^6; sbit A9=P2^7; sbit A10=P3^7; //Column Address sbit A0=P1^0; sbit A1=P1^1; sbit A11=P1^2; sbit A12=P1^3; sbit A13=P1^4; sbit A14=P1^5; //写行地址 void SetAddressRow(unsigned int Address) { A2 = Address & 0x0001; A3 = Address & 0x0002; A4 = Address & 0x0004; A5 = Address & 0x0008; A6 = Address & 0x0010; A7 = Address & 0x0020; A8 = Address & 0x0040; A9 = Address & 0x0080; A10 = Address & 0x0100; } //写列地址 void SetAddressColumn(unsigned char Address) { A0 = Address & 0x01; A1 = Address & 0x02; A11 = Address & 0x04; A12 = Address & 0x08; A13 = Address & 0x10; A14 = Address & 0x20; } //写数据 void WriteDate(unsigned char Date) { P0 = Date; } //向CY62256里某一地址写数据 void WriteToCy62256(unsigned char ColumnAddress, unsigned int RowAddress, unsigned char Date) { SetAddressRow(RowAddress); SetAddressColumn(ColumnAddress); CE = 0; //片选有效 OE = 1; //输出使能无效(写操作) WE = 0; //写使能有效 WriteDate(Date); //写入数据 WE = 1; //写使能无效 CE = 1; //片选无效 } //从CY62256里某一地址读数据 unsigned char ReadFromCy62256(unsigned char ColumnAddress, unsigned int RowAddress) { unsigned char Date = 0; SetAddressRow(RowAddress); SetAddressColumn(ColumnAddress); CE = 0; //片选有效 OE = 0; //输出使能有效(读操作) Date = P0; //读取数据 CE = 1; //片选无效 OE = 1; //输出使能无效(读操作完成) return Date; //返回读取的数据 }
五、常见问题解答(FAQs)
Q1: CY62256的读写时序是怎样的?
A1: CY62256的读写时序如下:
写数据:先准备好地址,然后拉低CE和WE线,通过数据线发送数据,最后拉高WE线完成写操作,连续写数据时,可以保持CE低电平,通过WE的高低电平来控制数据的写入。
读数据:先准备好地址,然后拉低CE和OE线,通过数据线读取数据,最后拉高OE线完成读操作,注意,在更换地址读取数据时,数据的准备不是立即完成的,而是需要经过一段时间之后才有效。
Q2: 如何扩展CY62256的RAM空间?
A2: 可以通过位扩展技术来扩展CY62256的RAM空间,使用两片CY62256芯片通过位扩展技术可以将RAM空间扩展到64KB*16bit,具体实现方式包括连接地址线、锁存器应用、数据传输和编写相应的汇编程序来完成存储器的扩展。
作者:豆面本文地址:https://www.jerry.net.cn/articals/51.html发布于 2024-11-21 20:31:12
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