三级管元器件怎么看

摘要： 三极管是一种控制电流的半导体器件，在一块半导体基片上制成两个相距很近的pn结，这两个pn 就分为基区、发射区和集电区，排列方式有pnp和npn两种，分类1、按材质分：可分为硅管和锗...

三极管是一种控制电流的半导体器件，在一块半导体基片上制成两个相距很近的pn结，这两个pn 就分为基区、发射区和集电区，排列方式有pnp和npn两种。

分类

1、按材质分：可分为硅管和锗管，硅管的温度稳定性等性能相对锗管更优异，因此在现代电子电路中硅管应用更为广泛。

2、按极性结构分：主要有 npn 型和 pnp 型两大类，NPN型三极管的集电极和发射极都是N型半导体，而基极是P型半导体；PNP型三极管的集电极和发射极都是P型半导体，而基极是N型半导体。

3、按功率分：可分为小功率管、中功率管、大功率管，小功率三极管功率一般小于0.3W，常用于放大交、直流信号或应用在振荡器、变换器等电路，如用来放大音频、视频信号；中功率三极管功率一般在0.3W1W之间，主要用于驱动电路和激励电路中，或为大功率放大器提供驱动信号；大功率三极管功率一般在1W之上，由于耗散功率大，工作时容易引起芯片内温度过高，通常需要安装散热片。

4、按工作频率分：可分为低频管、高频管、超频管，低频三极管的特征频率ft小于3MHz，多用于低频放大电路，如收音机的功放电路；高频三极管的特征频率ft大于3MHz，多用于高频放大电路、混频电路或高频振荡等电路。

5、按塑封形式分：可分为贴片分装型、金属封装型和塑料封装型，贴片封装型三极管体积小巧，多应用于数码电子产品中。

工作原理及三种状态

1、截止状态：当加在三极管发射结的电压小于pn结的导通电压时，发射结未导通，集电结处于反向偏置状态，此时三极管处于截止区，对于硅管，一般当发射极电压低于基极电压0.7V左右时进入截止区；对于锗管，当发射极电压低于基极电压0.3V左右时进入截止区，此状态下，基极电流$I_b$为零，集电极电流$I_c$和发射极电流$I_e$都为零，三极管失去电流放大作用，集电极和发射极之间相当于开关的断开状态。

2、放大状态：当发射结加正向电压（发射结处于正向偏置状态），集电结加反向电压时（集电结处于反向偏置状态），三极管进入放大区，对于硅管，发射结正向电压约为0.60.7V，锗管约为0.20.3V时，且集电结反向偏置，三极管工作在放大区，此时基极电流$I_b$能够控制集电极电流$I_c$，且$I_c$与$I_b$之间近似于线性关系，从而实现信号的放大。

3、饱和状态：当集电极电流增大到一定程度时，即使再增大基极电流，集电极电流也不会再增大，此时发射结处于正向偏置状态，集电结也处于正向偏置状态，三极管进入饱和区，一般当集电极电流达到最大值，且不再随基极电流的增大而增大时，可认为三极管进入饱和区。

相关参数

1、集 射最大反向电压（$V_{CEO}$）：基极开路时，集电极与发射极间能承受的最大反向电压值，超过此值会击穿三极管。

2、集电极工作电流（$I_{CBM}$）：集电极允许长期工作的电流，实际工作电流应小于此值，否则可能导致三极管损坏。

3、集电极最大功率（$P_{CM}$）：最大允许耗散功率，实际功率过大，三极管会因过热而烧坏。

4、电流放大倍数（$\beta$或$H_{FE}$）：共射电路中集电极与基极电流的比值，即$\beta=I_C/I_B$，表示三极管的放大能力。

三极管作为电子电路中的核心元件，其分类多样、工作原理复杂且具有三种不同的工作状态，相关参数对于正确使用和选择三极管至关重要，深入理解这些特性有助于更好地发挥三极管在电子电路中的作用。