三极管击穿电压怎么算

摘要： 基极-发射极反向击穿电压（V(BR)EBO）当集电极开路时，基极与发射极之间的PN结发生雪崩击穿时的电压，一般情况下，硅三极管的发射结雪崩击穿电压在6伏左右，集电极-基极反向击穿电...

基极发射极反向击穿电压（V(BR)EBO）

当集电极开路时，基极与发射极之间的PN结发生雪崩击穿时的电压，一般情况下，硅三极管的发射结雪崩击穿电压在6伏左右。

集电极基极反向击穿电压（V(BR)CBO）

当发射极开路时，集电极与基极之间的PN结发生雪崩击穿时的电压，其计算公式为：\(V_{(BR)CBO}=BV_{CBO}+I_{CBO}\times R_{S}\)，(BV_{CBO}\)是集电结的雪崩击穿电压，\(I_{CBO}\)是集电极基极反向饱和电流，\(R_{S}\)是电源内阻。

集电极发射极反向击穿电压（V(BR)CEO）

当基极开路时，集电极与发射极之间的PN结发生雪崩击穿时的电压，它与集电极基极反向击穿电压、基极发射极反向击穿电压之间存在一定的关系，(V_{(BR)CBO} \approx V_{(BR)CES}>V_{(BR)CER}>V_{(BR)CEO}>V_{(BR)EBO}\)。

三极管的击穿电压是衡量其能承受的最高电压值的重要参数，不同类型的击穿电压反映了三极管在不同电极间的耐压能力，在实际应用中需根据具体电路需求合理选择三极管，以确保其在工作电压下的稳定性和可靠性。