台湾力晶半导体怎么样

摘要： 台湾力晶半导体是一家在半导体领域具有重要影响力的企业，以下是对其的详细介绍：1、发展历程： - 成立于1994年12月，位于新竹科学园区， - 1995年3月，八寸晶圆厂（8A厂）...

台湾力晶半导体是一家在半导体领域具有重要影响力的企业，以下是对其的详细介绍：

1、发展历程：

成立于1994年12月，位于新竹科学园区。

1995年3月，八寸晶圆厂（8A厂）动土典礼；1996年4月，8A厂正式启用；10月开始量产0.40微米16Mb DRAM/SDRAM。

1997年12月获颁ISO 9002国际品保系统验证证书；1998年2月，8A厂量产0.30微米64Mb DRAM/SDRAM；3月公司股票以科技类股于柜买中心挂牌上柜；7月切入代工服务领域有成，第一家美国代工客户产品试产成功；12月获颁ISO 14001国际环境管理系统验证证书。

1999年6月与世界先进及三菱电机签订策略联盟合作备忘录，共组联盟关系；11月发行第一次海外存托凭证，总金额达美金288,900,000元。

2000年7月举行第一座十二寸晶圆厂（P1厂）动土典礼；2001年5月发行第一次公司债（含海外公司债），总额达美金200,000,000元；9月荣获经济部工业局所举办的第十二届“品质优良案例奖”。

2002年10月通过OHSAS 18001职业安全卫生评估系列验证；11月第一座十二寸晶圆厂（Fab P1）正式量产。

2003年8月与日本Elpida公司正式签订0.10、0.09微米技术转移合约；10月第二座十二寸晶圆厂（P2厂）动土典礼。

2004年4月力晶十二寸晶圆厂代工业务正式投片；9月力晶员工诊所开幕。

2005年1月获颁ISO/TS 16949证书；3月P2厂正式启用；5月开始以十二寸晶圆厂生产高容量快闪记忆体。

2006年1月与旺宏达成协议购入晶圆厂房，并命名为12M厂；2月与瑞萨达成AGAND快闪记忆体技术授权协议；12月与尔必达签订合作备忘录，将设合资公司以新台币4,500亿元于台湾中部建置全球最大12寸晶圆DRAM厂区，双方并决定共同开发50奈米DRAM制程技术。

2007年6月力晶研发测试中心动土典礼；10月与尔必达合资之瑞晶电子公司第一座十二寸晶圆厂（R1厂）启用。

2008年4月8A厂独立为钜晶电子公司；4月与日商瑞萨、SHARP合资设立Renesas SP公司，共同拓展LCD驱动晶片市场；4月第四/五座十二英寸晶圆厂（P4/P5厂）动土。

2、主要业务：

提供标准型记忆体（DRAM）、消费性记忆体（CRAM）、通讯用记忆体（MRAM）、高容量快闪记忆体（Flash）、CMOS影像感测器及多元化代工服务。

3、技术合作：

在设立之初即和日本三菱电机缔结技术、生产与销售的策略联盟。

目前则与日本DRAM大厂尔必达（Elpida）合作产销最尖端DRAM产品，并与日商瑞萨科技（Renesas Technology Corp.）为主要代工伙伴，发展系统晶片（System LSI）产品。

2006年力晶和尔必达签订共同开发50奈米DRAM制程技术备忘录，掌握关键科技自主能力；同年，力晶也与瑞萨达成协议，取得AGAND Flash技术授权，成为我国第一家具备高容量快闪记忆体产销实力的半导体厂商。

4、生产能力：

拥有三座总月产能达十三万片的十二寸晶圆厂（P1/P2/P3厂），是全国最大的记忆体制造公司。

首座八寸晶圆厂（8A厂）自1996年起稳定运行，目前每月产能已达到四万片。

5、行业地位：

是动态存储器制造及晶圆代工服务的领导厂商之一，已成为世界级的半导体公司。

台湾力晶半导体股份有限公司凭借其强大的技术实力、丰富的产品线以及广泛的市场布局，在全球半导体行业中占据着举足轻重的地位，随着半导体技术的不断发展和市场需求的不断变化，力晶半导体有望继续发挥自身优势，推动半导体产业的进步与发展。