本文作者:豆面

20n60s5怎么测

豆面 2025-02-13 09:50:11 51
20n60s5怎么测摘要: 1、准备工具万用表:用于测量电压、电流、电阻等基本电参数,以及检测二极管的导通情况等,示波器:观察MOS管在工作过程中的电压波形,如栅极电压波形、漏源极电压波形等,以便分析其工作状...

1、准备工具

20n60s5怎么测

万用表:用于测量电压、电流、电阻等基本电参数,以及检测二极管的导通情况等。

示波器:观察MOS管在工作过程中的电压波形,如栅极电压波形、漏源极电压波形等,以便分析其工作状态和性能。

电源供应器:为测试电路提供稳定的直流电源,能够调节电压和电流,以满足不同的测试需求。

负载电阻:作为MOS管的负载,用于模拟实际工作电路中的负载情况,通过改变负载电阻的大小可以测试MOS管在不同负载条件下的性能。

温度控制设备:由于MOS管的性能可能会受到温度的影响,因此需要使用温度控制设备来模拟不同的工作环境温度,以测试其在高温或低温下的性能变化。

2、基本参数测试

漏源极电压(VDS)测试

连接电路:将MOS管的漏极和源极分别连接到电源供应器的输出端和负载电阻的一端,负载电阻的另一端接地,形成一个基本的电路回路。

20n60s5怎么测

设置电源:逐渐增加电源供应器的输出电压,同时用万用表测量MOS管漏源极之间的电压,当电压增加到一定值时,观察MOS管是否能够正常导通,记录此时的漏源极电压,即为MOS管的漏源极击穿电压,20N60S5的漏源极电压应能承受较高的电压,通常在650V左右。

栅源极电压(VGS)测试

连接电路:将MOS管的栅极连接到电源供应器的输出端,源极接地,形成一个栅极控制电路。

设置电源:缓慢调节电源供应器的输出电压,从0V开始逐渐增加,同时用万用表测量栅源极之间的电压,当MOS管开始导通时,记录此时的栅源极电压,即为MOS管的阈值电压,20N60S5的阈值电压一般为3.5V左右。

导通电阻(RDS(ON))测试

连接电路:按照基本电路连接方式,将MOS管接入电路中,在源极和漏极之间串联一个电流检测电阻。

设置条件:给栅极施加一个高于阈值电压的电压信号,使MOS管完全导通,然后通过测量电流检测电阻两端的电压,并根据欧姆定律计算出流过MOS管的电流,最后根据公式RDS(ON)=VDS/ID,计算出MOS管的导通电阻,在测试过程中,需要注意保持MOS管的工作温度稳定,以确保测试结果的准确性,20N60S5在VGS=10V时,导通电阻通常为160mΩ左右。

3、特性测试

20n60s5怎么测

输出特性测试

连接电路:搭建一个共源极放大电路,将MOS管的源极接地,漏极通过负载电阻连接到电源供应器,栅极接入输入信号。

输入信号:在栅极输入不同的电压信号,从低到高逐渐增加,同时测量漏极电流和漏源极电压的变化情况,根据测量结果绘制出MOS管的输出特性曲线,即IDVDS曲线,通过输出特性曲线可以了解MOS管在不同工作区域的电流特性和电压特性,以及其饱和区、线性区和截止区的划分。

转移特性测试

连接电路:构建一个共源极放大电路,将MOS管的源极接地,漏极通过负载电阻连接到电源供应器,栅极接入输入信号,同时在漏极和源极之间接入电流检测电阻。

输入信号:在栅极输入不同的电压信号,从低到高逐渐增加,同时测量栅极电压和漏极电流的变化情况,根据测量结果绘制出MOS管的转移特性曲线,即IDVGS曲线,转移特性曲线反映了MOS管的栅极电压对漏极电流的控制作用,通过该曲线可以确定MOS管的阈值电压、跨导等参数。

4、动态性能测试

开关时间测试

连接电路:搭建一个开关电路,将MOS管作为开关元件接入电路中,在栅极输入一个脉冲信号,同时在漏源极之间接入一个示波器探头,用于观察漏源极电压的变化情况。

输入信号:向栅极输入一个具有一定幅值和频率的脉冲信号,使MOS管不断地在导通和截止状态之间切换,通过示波器观察并记录漏源极电压从高电平下降到低电平所需的时间,即为MOS管的关断时间;以及漏源极电压从低电平上升到高电平所需的时间,即为MOS管的开通时间,20N60S5的开关时间通常在纳秒级别,具体的开关时间会因器件的个体差异和应用条件而有所不同。

反向恢复时间测试

连接电路:在一个感性负载电路中接入MOS管,将MOS管的漏极连接到感性负载的一端,源极接地,栅极接入控制信号,在感性负载的另一端并联一个二极管,用于提供反向恢复电流的通路。

输入信号:先使MOS管导通一段时间,然后在栅极输入一个反向的控制信号,使MOS管从导通状态快速转换为截止状态,由于感性负载中的电流不能立即消失,会继续通过二极管形成反向恢复电流,用示波器观察并记录反向恢复电流从最大值衰减到接近零所需的时间,即为MOS管的反向恢复时间,反向恢复时间的长短会影响MOS管在高频应用中的性能,20N60S5的反向恢复时间一般在几十纳秒到几百纳秒之间。

通过对20N60S5进行上述各项测试,可以全面了解其性能特点和参数指标,为其在实际电路中的应用提供重要的参考依据,在测试过程中,需严格遵守操作规程,确保测试结果的准确性和可靠性。

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作者:豆面本文地址:https://www.jerry.net.cn/articals/31521.html发布于 2025-02-13 09:50:11
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