ON场效应管怎么样

摘要： 场效应管（Field Effect Transistor，FET）是电压控制器件，具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大等优点，广泛应用于各种电子线路中，场效应管的结构与原理1、结构：...

场效应管（Field Effect Transistor，FET）是电压控制器件，具有输入阻抗高、噪声低、动态范围大等优点，广泛应用于各种电子线路中。

场效应管的结构与原理

1、结构：

场效应管有多种结构，包括结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOSFET）。

JFET在N型硅棒两端引出漏极D和源极S，又在硅棒的两侧各做一个P区，并在P区引出电极并连接起来作为栅极G，MOSFET则是由金属、氧化物和半导体所组成，分为P型薄硅片作为衬底，上面扩散两个高杂质的N型区作为源极S和漏极D，在硅片表面覆盖一层绝缘物，并通过金属铝引出一个电极作为栅极G。

2、工作原理：

对于JFET，当漏极电源电压ED一定时，如果栅极电压越负，PN结交界面所形成的耗尽区就越厚，则漏、源极之间导电的沟道越窄，漏极电流ID就愈小；反之，如果栅极电压没有那么负，则沟道变宽，ID变大，通过栅极电压EG可以控制漏极电流ID的变化。

对于MOSFET，其工作原理是通过栅极电压来控制感应电荷的多少，以改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况，从而达到控制漏极电流的目的，当栅极有正电压加在N沟道的MOS场效应管上时，由于电场的作用，N型半导体的源极和漏极的负电子被吸引出来涌向栅极，但由于氧化膜的阻挡，使得电子聚集在两个N沟道之间的P型半导体中，从而形成电流，使源极和漏极之间导通。

场效应管的主要参数

1、直流参数：

包括饱和漏极电流IDSS（在源、栅极短路条件下，漏源间加的电压大于VP时的漏极电流）、夹断电压UP（当VDS为某一固定数值，使IDS等于某一微小电流时，栅极上所加的偏压VGS）、开启电压UT（对于增强型绝缘栅场效应管，使漏源间刚导通时的栅极电压）等。

2、交流参数：

包括输出电阻和低频互导等，输出电阻一般在几十千欧到几百千欧之间；低频互导一般在十分之几至几毫西的范围内，特殊的可达100mS甚至更高。

3、极限参数：

包括最大漏极电流、最大耗散功率PDSM、漏源击穿电压BUDS、栅源击穿电压等，这些参数决定了场效应管在工作时的极限条件，超过这些极限参数可能会损坏场效应管。

场效应管的特点与优势

1、特点：

场效应管是电压控制器件，它通过VGS(栅源电压)来控制ID（漏极电流），并且它的输入电阻（107～1015Ω）很大，由于它仅靠半导体中的多数载流子导电，又称单极型晶体管。

2、优势：

体积小、重量轻、耗电省、寿命长。

制造工艺简单，有利于提高集成电路中的集成度。

热稳定性好，不易受到温度变化的影响。

不存在杂乱运动的电子扩散引起的散粒噪声，所以噪声低。

具有较安全的前置工作条件和较宽的安全工作区域。

场效应管以其独特的结构和工作原理，以及优异的电气性能和广泛的应用领域，在现代电子技术中发挥着不可替代的作用，随着科技的进步，场效应管的性能将进一步提升，应用范围也将更加广泛。