如何正确解读2n7002晶体管的引脚功能？

摘要： 2N7002 是一款 N 沟道场效应管，以下是其管脚的相关信息：管脚编号功能描述1（Gate）栅极，用于控制晶体管的偏置电压，从而控制漏极和源极之间的电流通断及大小2（Source...

2N7002 是一款 N 沟道场效应管，以下是其管脚的相关信息：

相关参数

漏源电压：最大为 60V，这是晶体管能够承受的漏极和源极之间的最大电压差。

连续漏极电流：115mA，表示晶体管在正常工作状态下能够持续通过的最大电流。

功率耗散：200mW，即晶体管在工作时能够承受的最大功耗。

导通电阻：7.5Ω@10V,500mA，意味着当漏源电压为 10V、连续漏极电流为 500mA 时，晶体管的导通电阻为 7.5Ω。

阈值电压：2.5V@250uA，是指当漏极电流开始导通时的最小栅极电压。

应用领域

2N7002 适用于低电压、低电流的应用，如小型伺服电机控制、功率 MOSFET 栅极驱动器、DC/DC 转换器以及其他开关应用等。

FAQs

问：2N7002 可以用什么替代？

答：一些具有类似参数和性能的 N 沟道 MOSFET 可以作为 2N7002 的替代品，例如友台半导体、安森美、安世等品牌的同类型产品，但在选择替代型号时，需要仔细对比各项参数，确保满足电路的设计要求。