如何操作90c516rd进行Flash编程？

摘要： 一、准备工作1、硬件准备：确保开发板连接正常，包括电源、复位电路等，对于STC90C516RD+，其工作电压一般为5V，需保证电源稳定供电，2、软件准备：安装Keil uVisio...

一、准备工作

1、硬件准备：确保开发板连接正常，包括电源、复位电路等，对于STC90C516RD+，其工作电压一般为5V，需保证电源稳定供电。

2、软件准备：安装Keil uVision等集成开发环境，用于编写、编译和调试程序，准备好STCISP等下载工具，以便将编译好的程序下载到单片机中。

3、了解芯片特性：熟悉STC90C516RD+的内部结构、特殊功能寄存器以及Flash的存储容量和分布等，该芯片具有61K的Flash存储空间，地址范围为0x00000xFFFF。

二、操作步骤

1、定义相关宏和变量：在程序中定义Flash操作的起始地址宏定义和Flash状态指示标志位，

#define STARTADDR 0x0800F000（假设从该地址开始进行Flash操作）。

volatile FLASH_Status FLASHStatus = FLASH_BUSY;（用于记录Flash的操作状态）。

2、解锁Flash：在对Flash进行写操作之前，必须先解锁Flash，可以使用以下函数实现解锁：

void FLASH_Unlock(void)。

调用示例：FLASH_Unlock();。

3、选择操作模式：根据具体需求选择是对Flash进行读操作还是写操作，如果是写操作，还需确定写入的数据内容和目标地址；如果是读操作，需确定读取的起始地址和长度。

4、执行操作：

读操作：如果进行读操作，可以直接通过指针或特定的读函数来读取Flash中的数据，定义一个指针指向要读取的Flash地址，然后通过该指针读取数据。

写操作：对于写操作，需要使用相应的写函数将数据写入到指定的Flash地址中，使用FLASH_ProgramWord函数写入32位数据，FLASH_ProgramHalfWord函数写入16位数据等。

调用示例：FLASH_ProgramWord(STARTADDR, data);（将数据data写入到起始地址STARTADDR）。

5、重新上锁：操作完成后，必须重新锁定Flash，以保护数据的安全性和完整性，可以使用以下函数实现上锁：

void FLASH_Lock(void)。

调用示例：FLASH_Lock();。

6、等待操作完成：由于Flash操作可能需要一定的时间来完成，因此在操作完成后需要等待操作真正完成才能进行后续的操作，可以使用FLASH_WaitForLastOperation函数来等待操作完成，该函数需要一个超时参数，用于防止无限期等待。

调用示例：FLASH_WaitForLastOperation(timeout);（其中timeout为设定的超时时间）。

三、注意事项

1、遵循操作流程：严格按照解锁、操作、上锁、等待完成的顺序进行Flash操作，避免出现错误和数据丢失等问题。

2、合理选择地址：在进行Flash操作时，要确保选择的地址是合法且合适的，避免对芯片的正常运行造成影响，应避开芯片出厂时已经占用的地址区域，如代码存储区等。

3、注意数据安全：在对Flash进行写操作之前，务必确保写入的数据是正确的，并且已经做好了数据备份，以防止误操作导致数据丢失或损坏。

4、参考芯片手册：不同型号的STC单片机可能会存在一些差异，在进行Flash操作时，建议仔细阅读STC90C516RD+的芯片手册，以确保操作的正确性和兼容性。

以下是关于STC90C516RD+单片机操作Flash的两个常见问题及解答：

问题一：为什么在对STC90C516RD+的Flash进行操作前需要解锁？

答案：对STC90C516RD+的Flash进行操作前需要解锁，是因为Flash存储器通常处于被保护的状态，以防止意外的数据修改或擦除，解锁操作是为了获得对Flash的写权限，确保只有在明确需要进行写操作时才能对其进行修改，从而保护数据的完整性和安全性，如果不进行解锁操作而直接尝试写入数据，操作通常会失败。

问题二：如何选择合适的地址进行STC90C516RD+的Flash操作？

答案：选择合适的地址进行STC90C516RD+的Flash操作需要考虑多个因素，要避开芯片出厂时已经占用的地址区域，如代码存储区等，以免对芯片的正常运行造成影响，可以根据具体的应用需求和数据量的大小来选择地址，如果需要存储大量的数据，可以选择连续的空闲地址区域；如果只是存储一些少量的配置信息或标志位，可以选择相对分散的地址，还可以参考芯片手册中的Flash存储布局图和地址映射表等信息来选择合适的地址。