如何测量fga20s120m？

摘要： FGA20S120M是一款常用的功率器件，以下是测量它的一些常见方法和要点：一、基本参数测量1、集电极-发射极电压（VCE）方法：使用万用表的二极管档或晶体管档来测量，将万用表的正...

FGA20S120M是一款常用的功率器件，以下是测量它的一些常见方法和要点：

一、基本参数测量

1、集电极发射极电压（VCE）

方法：使用万用表的二极管档或晶体管档来测量，将万用表的正极连接到集电极（C），负极连接到发射极（E），对于正常的IGBT，在未导通时，应该显示一个较大的阻值，通常为无穷大或接近无穷大，如果测量值很小，可能表示器件已经损坏或存在漏电现象。

注意事项：确保在测量前已经将器件从电路中断开，并且放电完毕，以避免对万用表造成损坏，不同的万用表测量结果可能会有一定的差异，需要参考器件的数据手册来判断测量值是否在正常范围内。

2、门极发射极电压（VGE）

方法：同样使用万用表的二极管档或晶体管档，将万用表的正极连接到门极（G），负极连接到发射极（E），正常情况下，应该显示一个特定的电压值，一般在几伏左右，具体数值可以参考器件的数据手册，如果测量值为0或接近0，可能表示门极与发射极之间已经短路；如果测量值为无穷大，则可能是门极与发射极之间开路。

注意事项：在测量门极电压时，要注意避免静电对器件造成损坏，可以在测量前先将手触摸一下金属物体，释放掉身上的静电。

3、饱和压降（VCE(sat)）

方法：首先给IGBT加上适当的驱动信号，使其导通，然后使用万用表的电压档测量集电极和发射极之间的电压，即为饱和压降，饱和压降越小，说明器件的性能越好，具体的测量值也需要参考器件的数据手册，不同型号的IGBT饱和压降可能会有所不同。

注意事项：在测量饱和压降时，要确保驱动信号的幅度和频率符合器件的要求，并且要保证测量的准确性，由于饱和压降会随着温度的变化而变化，因此最好在规定的温度条件下进行测量。

二、动态参数测量

1、开通时间（ton）和关断时间（toff）

方法：使用示波器和信号发生器来进行测量，将信号发生器连接到IGBT的门极和发射极之间，输出一个脉冲信号作为驱动信号，然后将示波器的探头分别连接到集电极和发射极之间以及门极和发射极之间，观察波形的变化，开通时间是指从驱动信号上升到一定幅度开始，到集电极电流上升到最大值的90%所需的时间；关断时间是指从驱动信号下降到一定幅度开始，到集电极电流下降到最大值的90%所需的时间。

注意事项：在测量开通时间和关断时间时，要注意信号发生器的输出信号的幅度和频率要符合IGBT的要求，同时示波器的探头也要正确连接到相应的引脚上，并且要调整好示波器的时间和电压刻度，以便准确地读取测量值。

三、绝缘性能测试

1、集电极发射极绝缘电阻

方法：使用绝缘电阻测试仪来测量，将绝缘电阻测试仪的两根测试线分别连接到集电极和发射极上，按照测试仪的操作说明进行测试，绝缘电阻应该在几百兆欧以上，具体的数值可以参考器件的数据手册，如果测量值过低，可能表示器件的绝缘性能已经下降，存在安全隐患。

注意事项：在测量绝缘电阻时，要确保测试环境的温度和湿度符合要求，并且要将器件表面的灰尘和污垢清理干净，以免影响测量结果，在测试过程中要按照操作规程进行操作，避免对器件造成损坏。

四、热特性测试

1、结温（Tj）

方法：可以使用红外热像仪或者热电偶来测量，将红外热像仪对准IGBT的表面，或者将热电偶焊接到IGBT的芯片表面附近，然后通过测量器件表面的温度来推算结温，结温不能超过器件的最大允许结温，否则可能会导致器件的损坏，具体的结温与器件表面温度之间的关系可以通过热成像或者热仿真等方法来确定。

注意事项：在测量结温时，要注意测量位置的选择和测量方法的准确性，由于IGBT在工作时会产生热量，因此在测量时要尽快进行，以免测量结果受到温度变化的影响。

FGA20S120M的测量需要综合运用多种工具和方法，包括万用表、示波器、信号发生器、绝缘电阻测试仪、红外热像仪或热电偶等，以确保测量的准确性和可靠性。