如何测量11n80c3？

摘要： 一、基本参数测量封装及引脚识别：11N80C3通常采用TO220封装，有D（漏极）、S（源极）和G（栅极）三个引脚，在测量前，需先准确识别这三个引脚，一般可以通过查看器件表面标识或...

一、基本参数测量

封装及引脚识别：11N80C3通常采用TO220封装，有D（漏极）、S（源极）和G（栅极）三个引脚，在测量前，需先准确识别这三个引脚，一般可以通过查看器件表面标识或数据手册来确定。

电阻测量：使用万用表的电阻档，分别测量DS极之间的电阻、GS极之间的电阻以及GD极之间的电阻，正常情况下，DS极之间在未导通时电阻应为无穷大；GS极之间在未加驱动信号时电阻也较大，若测得阻值过小，可能表示GS极之间有短路或漏电情况；GD极之间在未加驱动信号时电阻同样应为无穷大，若阻值异常，可能是内部结构损坏。

电容测量：将万用表置于电容档，测量Ciss（输入电容）和Crss（反向传输电容），测量Ciss时，红表笔接G极，黑表笔接S极；测量Crss时，红表笔接D极，黑表笔接S极，不同型号的11N80C3其标称电容值可能会有所不同，但一般在一定的范围内，如Ciss约为1.6nF@Vds=100V，Crss约为30pF@Vds=640V。

二、导通特性测量

搭建测试电路：准备一个可调直流电源、电流表、电压表和负载电阻，将11N80C3的D极连接到电源正极，S极连接到负载电阻一端，负载电阻另一端接地，同时将电压表并联在DS极两端，电流表串联在电路中以便测量漏极电流Id。

施加栅极电压：慢慢调节直流电源的输出电压，使其从0V开始逐渐增加，同时观察电压表和电流表的读数，当栅极电压Vgs达到阈值电压（一般为3.9V左右）时，MOSFET开始导通，此时DS极之间的电压会迅速下降，而漏极电流Id则会随着Vgs的增加而增大。

记录数据：在不同的Vgs下，记录对应的Vds和Id值，绘制出VdsId曲线，可以直观地了解11N80C3的导通特性，正常情况下，当Vgs大于阈值电压后，Vds会随着Id的增大而略有上升，这是由于MOSFET的导通电阻RDS(on)引起的压降。

三、耐压测试

漏源耐压测试：使用耐压测试仪或绝缘电阻测试仪，将11N80C3的D极和S极分别连接到测试仪的高压输出端和接地端，按照数据手册中规定的漏源电压（一般为800V）进行测试，在测试过程中，缓慢增加电压，观察是否有击穿现象发生，如果漏电流超过规定值或出现击穿报警，则说明器件的漏源耐压性能不良。

栅源耐压测试：同样使用耐压测试仪，将G极和S极分别连接到测试仪的高压输出端和接地端，按照数据手册中规定的栅源电压（一般为±30V）进行测试，注意在测试栅源耐压时，要在DS极之间保持一定的电压（一般为15V左右），以防止栅极氧化层被击穿。

四、其他注意事项

安全第一：在进行测量之前，务必确保设备已断电，并采取适当的安全措施，如佩戴绝缘手套、使用绝缘工具等，避免触电风险。

仪器选择：根据测量需求选择合适的仪器，如万用表、示波器、耐压测试仪等，确保仪器的准确性和可靠性，并按照仪器的操作规程进行操作。

温度影响：11N80C3的性能可能会受到温度的影响，因此在测量过程中应注意环境温度的变化，如果需要在不同温度下进行测量，可以使用温度控制设备来模拟实际工作环境。