双向可控硅接线图该如何绘制?
摘要:
接线图及说明 接线图 说明电源隔离+光耦隔离电路 这种电路常用于控制AC发热丝的发热功率,光耦用于隔离强电和弱电,提高安全性,当MCU的IO口输出高电平时,光耦导通,使双向可控硅的...
接线图及说明
接线图 | 说明 |
电源隔离+光耦隔离电路 | 这种电路常用于控制AC发热丝的发热功率,光耦用于隔离强电和弱电,提高安全性,当MCU的IO口输出高电平时,光耦导通,使双向可控硅的控制极G和第一阳极T1间得到正向电压,可控硅导通,发热丝开始发热,通过调整IO口输出的脉冲宽度或占空比,可以控制发热丝的发热功率。 |
电源非隔离+正电压系统 | 该电路以N线作为公共地,单片机的IO口直接驱动小功率双向可控硅MAC97A8(TO92封装),由于MAC97A8的第四象限最大驱动电流仅需7mA,因此可以直接用单片机的IO口驱动,但需注意区分可控硅的T1、T2极,T1极必须接在低端(GND),负载必须接在高端(L线与T2之间)。 |
电源非隔离+负电压系统 | 该电路利用LNK306DN芯片实现非隔离BUCK负电压输出,为单片机提供负电压,单片机的IO口输出负电压信号,控制双向可控硅的工作状态,当IO口输出高电平时,VGVT1≈0V,可控硅不导通;当IO口输出低电平时,VGVT1≈5V,可控硅导通,工作在第二、三象限。 |
FAQs
1、如何选择适合的双向可控硅?
选择双向可控硅时,需考虑其耐压级别、额定电流、通态电压降、维持电流、电压上升率等参数,耐压级别应为正常工作峰值电压的2~3倍作为操作过电压裕量;电流值为实际工作电流的2~3倍;通态电压降应尽可能小以减少热损耗;维持电流需满足保持可控硅通态的最小主电流要求;电压上升率是防止误触发的关键参数。
2、双向可控硅在实际应用中有哪些注意事项?
在实际应用中,需注意区分双向可控硅的T1、T2极,避免接反导致电路无法正常工作或损坏可控硅,对于感性负载,如电动机、变压器等,需增加阻容吸收电路及压敏电阻进行过压保护,防止负载断开和接通瞬间产生很高的感应电压损坏可控硅,根据具体应用场景选择合适的触发电路和控制方式。
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作者:豆面本文地址:https://www.jerry.net.cn/articals/26712.html发布于 2025-02-04 00:26:35
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