如何判断mdp11n60的好坏？

摘要： MDP11N60是一款高电压N沟道MOSFET，常用于开关电源等应用，以下是测量其好坏的方法：一、测量前准备在进行测量之前，需要确保MDP11N60已经从电路中拆卸下来，并且身体静...

MDP11N60是一款高电压N沟道MOSFET，常用于开关电源等应用，以下是测量其好坏的方法：

一、测量前准备

在进行测量之前，需要确保MDP11N60已经从电路中拆卸下来，并且身体静电已经释放，以避免对器件造成损坏，准备好数字万用表和相关的测试工具。

二、测量方法

1、极间电阻测量：将数字万用表置于二极管档位，分别测量D（漏极）S（源极）、G（栅极）S（源极）、G（栅极）D（漏极）之间的正反向电阻，正常情况下，DS之间正向电阻应为无穷大，反向电阻应为一个较小的值；GS和GD之间的电阻通常也应为无穷大，若测量结果与正常值不符，则可能存在击穿或漏电等问题。

2、电容测量：使用万用表的电容档位测量GS之间的电容，根据MDP11N60的数据手册，输入电容Ciss在特定条件下有一定的标称值范围，如果测量的电容值与标称值相差过大，可能表示器件性能异常。

3、导通特性测试：将万用表置于电阻档，红表笔接D极，黑表笔接S极，然后用手触摸G极，此时万用表指针应有明显的摆动，表明MOSFET能够正常导通，如果指针不摆动或摆动幅度很小，说明MOSFET可能存在问题。

4、雪崩击穿测试：在控制台上对安装有MDP11N60的电路板进行雪崩击穿测试，具体操作是调节调压器原边电压从0V开始上升，观察电流变化，当电压超过MDP11N60的雪崩击穿电压时，电流会迅速增大，如果在测试过程中电流没有按照预期变化，或者出现异常的大电流，可能意味着器件已经损坏。

通过上述步骤可以有效地评估MDP11N60的工作状态，并及时发现潜在的故障，对于任何表现出异常读数的情况，建议进一步检查或更换部件以确保系统的可靠性和安全性。