如何通过视频教程判断可控硅的好坏？

摘要： 一、外观检查法1、：仔细查看可控硅的外观，看是否存在明显的物理损坏，如裂纹、破碎、引脚松动、焊点脱落等，若存在这些问题，很可能影响其正常使用，2、判断依据：若外观完好无损，可初步认...

一、外观检查法

1、：仔细查看可控硅的外观，看是否存在明显的物理损坏，如裂纹、破碎、引脚松动、焊点脱落等，若存在这些问题，很可能影响其正常使用。

2、判断依据：若外观完好无损，可初步认为其外观方面无故障；若有明显的损坏迹象，则该可控硅可能存在问题，需进一步检测确认。

二、万用表电阻测量法

1、单向可控硅

操作步骤：将万用表置于R×1Ω挡，用红、黑两表笔分别测任意两引脚间正反向电阻，找出读数为数十欧姆的一对引脚，此时黑表笔所接为控制极G，红表笔所接为阴极K，另一空脚为阳极A，保持红表笔接阴极K，黑表笔接已判断的阳极A，此时万用表指针应不动，然后用短线瞬间短接阳极A和控制极G，若万用表电阻挡指针向右偏转，阻值读数为10欧姆左右，表明单向可控硅正常；若阳极A接黑表笔，阴极K接红表笔时，万用表指针发生偏转，说明该单向可控硅已击穿损坏。

判断依据：根据上述操作中万用表指针的偏转情况来判断单向可控硅是否损坏，如果指针偏转正常，说明可控硅正常；如果指针不偏转或偏转异常，则可控硅可能存在问题。

2、双向可控硅

操作步骤：使用万用表R×1Ω挡，任意测两引脚之间的正反向电阻，均应为数十欧姆，否则说明该双向可控硅已坏。

判断依据：正常情况下，双向可控硅两引脚之间的正反向电阻都应该是较小的数值，如果测量结果与这个范围相差较大，那么双向可控硅可能存在故障。

三、电压电流测试法

1、测试设备及连接：使用可调直流电源作为测试电源，将其输出电压连接到可控硅的控制端和阴极之间，同时并联一个限流电阻以防止过流，在负载两端并联一个电压表来监测负载电压。

2、测试步骤及判断

正向测试：逐渐增加输入电压，观察可控硅是否导通，如果在额定电压下可控硅能够正常导通，并且负载电压接近输入电压，说明正向工作正常。

反向测试：将电源的正负极性对调，重复上述测试过程，如果在反向电压下可控硅不导通，说明反向阻断能力正常。

综合判断：若正向和反向测试结果都符合预期，则表明可控硅的电压电流特性基本正常；若出现异常导通或阻断不良的情况，则可控硅可能存在质量问题。

四、示波器测试法

1、测试设备及连接：准备一个函数信号发生器和一个示波器，将函数信号发生器的输出端连接到可控硅的阳极，并将地线连接到公共接地端，将示波器的探头分别连接到可控硅的阳极和阴极上。

2、测试步骤及判断

施加触发脉冲：通过函数信号发生器向可控硅施加一个触发脉冲，观察示波器上的波形变化，如果可控硅能够正常触发并导通，示波器上应该显示相应的电压波形变化。

动态参数测量：在触发过程中，可以测量到可控硅的触发时间、保持电流和关断电压等参数，这些参数应在可控硅的规格范围内，如果超出范围则表示性能不佳。

综合评估：根据示波器显示的波形以及测量得到的动态参数，综合评估可控硅的性能，如果波形正常且参数符合要求，则可控硅性能良好；反之，则可能存在故障。

五、温度特性测试法

1、测试设备及环境：需要一个温度可控的环境，如恒温箱或加热平台，以及温度传感器来监测可控硅的温度。

2、测试步骤及判断

升温测试：将可控硅放入温度可控的环境中，并逐渐升高温度，在不同的温度点上测量其电气性能，如漏电流、阈值电压等，随着温度的升高，漏电流可能会略微增大，但不应该超过规定的上限值；阈值电压也应该保持在合理的范围内。

降温测试：将可控硅从高温环境中取出，自然冷却至室温后再次进行测试，比较升温前后的测试结果，确保性能没有明显变化。

综合分析：根据不同温度下的测试数据，分析可控硅的温度特性，如果温度变化对其性能影响较小，且各项参数仍在允许范围内，则温度特性良好；若温度变化导致性能大幅下降或出现异常，则可控硅的温度稳定性存在问题。

六、静态VI特性测试法

1、测试设备及连接：采用一个已知电压的电源施加到可控硅的极性上，并测量器件上的电流。

2、测试步骤及判断：在不同电压水平下重复测量电流值，根据这些数据可以计算出可控硅的正向和反向电阻特性曲线，如果曲线平滑且符合预期，说明可控硅的静态VI特性正常；若曲线出现异常波动或偏离预期范围较大，则可能存在故障。

可控硅好坏的测量方法多种多样，每种方法都有其特定的应用场景和优势，在实际应用中，应根据具体情况选择合适的方法进行测试，以确保测试结果的准确性和可靠性。