如何准确测量G60N100的参数？

摘要： G60N100 是一款功率 MOSFET 管，以下是一些常见的测量方法：外观检查与初步判断封装与引脚：G60N100 通常采用 TO-220 等封装形式，先检查其封装是否完整，有无...

G60N100 是一款功率 MOSFET 管，以下是一些常见的测量方法：

外观检查与初步判断

封装与引脚：G60N100 通常采用 TO220 等封装形式，先检查其封装是否完整，有无破损、裂缝或引脚弯曲等问题，正常情况下，它有三个引脚，分别是栅极（G）、漏极（D）和源极（S），可以通过查看数据手册或器件上的标识来确认引脚定义。

型号标识：确保器件表面的型号标识清晰可辨，为 G60N100，如果型号标识模糊或缺失，可能是假冒产品或在运输、存储过程中受到了损坏。

电阻测量

栅极与源极之间（GS）：使用万用表的二极管档位测量 GS 之间的正反向电阻，正常情况下，正向电阻应接近无穷大，反向电阻也应接近无穷大，因为 MOSFET 的栅极和源极之间有一个寄生的二极管，但这个二极管在正常情况下是反偏的，所以电阻很大，如果测量结果偏差较大，可能是栅极或源极有短路或漏电的情况。

栅极与漏极之间（GD）：同样使用二极管档位测量 GD 之间的正反向电阻，正常时正反向电阻都应接近无穷大，这是因为栅极和漏极之间没有直接的电气连接，只有通过场效应才能控制漏极电流，如果电阻值较小，可能是栅极和漏极之间存在击穿或漏电现象。

漏极与源极之间（DS）：对于 N 沟道 MOSFET 像 G60N100 这种，在未加驱动电压时，DS 之间应该是截止的，电阻值接近无穷大，可以使用万用表的高阻档位进行测量，如果电阻值过小，说明可能存在内部短路等问题。

电容测量

栅极电容：MOSFET 的栅极存在寄生电容，包括栅极与源极之间的电容（Ciss）和栅极与漏极之间的电容（Coss），可以使用电容表或具有电容测量功能的 LCR 测试仪来测量这些电容值，不同型号和批次的 MOSFET，其电容值可能会有一定的差异，但一般在数据手册中会给出参考范围，G60N100 的 Ciss 和 Coss 分别约为 3.5nF 和 25nF 左右。

耐压测试

漏源击穿电压：这是 MOSFET 的一个重要参数，对于 G60N100 其漏源击穿电压 V(BR)DSS 为 1000V，可以使用耐压测试仪来进行测试，将 MOSFET 的漏极和源极接入耐压测试仪的输出端，逐渐增加电压，观察 MOSFET 是否能够承受规定的电压而不发生击穿，在测试时，要确保测试环境安全，避免高压触电的危险。

栅源电压：虽然 G60N100 的栅源电压 VGSS 为±20V，但在实际应用中，一般不建议长时间在极限电压下工作，以免对 MOSFET 造成损坏，在进行电路设计和测试时，应尽量使栅源电压保持在安全范围内。

导通特性测试

导通电阻：在 MOSFET 的栅极和源极之间施加一个合适的驱动电压（一般为 10V 至 20V），然后测量漏极和源极之间的导通电阻 Rds(on)，G60N100 在不同电流下的 Rds(on) 值会有所不同，例如在 Ic=60A 时 Vcesat=2.5V，可以使用电流表和电压表配合测量，或者使用专业的导通电阻测试仪进行测量，如果导通电阻过大，可能是 MOSFET 性能不良或驱动信号存在问题。