如何区分MOS管与IGBT管？

摘要： 结构方面MOS管：是金属-氧化物-半导体场效应晶体管，属于单极器件，只有一种载流子（N沟道或P沟道）参与导电，其导通电阻较大，在高压大电流场合功耗较大，IGBT管：是一种由双极结型...

结构方面

MOS管：是金属氧化物半导体场效应晶体管，属于单极器件，只有一种载流子（N沟道或P沟道）参与导电，其导通电阻较大，在高压大电流场合功耗较大。

IGBT管：是一种由双极结型三极管（BJT）和绝缘栅型场效应管（MOSFET）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，结合了MOSFET的输入阻抗高、开关速度快和BJT的高电流和低饱和压降的优点。

性能参数方面

导通电阻：MOS管的导通电阻随电压增加而增加；IGBT管的导通电阻随电压增加而减小。

导通损耗：MOS管在低压大电流时导通损耗较大；IGBT管在高压大电流下导通损耗相对较小。

开关速度：MOS管的开关速度快，开关频率高；IGBT管的开关速度比MOS管慢，但比三极管快。

开关损耗：MOS管的开关损耗低；IGBT管的开关损耗相对较高，因为其关断时间较长。

二极管恢复：MOS管的体二极管恢复较慢，可能会影响开关速度；IGBT管的体二极管恢复较快。

控制方式方面

MOS管：通过控制MOSFET的栅极电压来控制整个器件的导通和截止。

IGBT管：通过控制MOSFET的栅极电压来控制整个器件的导通和截止。

应用领域方面

MOS管：适用于高频小功率领域，如开关电源、镇流器、高频感应加热、高频逆变焊机、通信电源等。

IGBT管：广泛应用于中低频大功率领域，如电动汽车、交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动、变频调速等。