如何测量CS2N60的值？

摘要： 测量CS2N60（一种MOSFET场效应管）的步骤和注意事项如下：1、准备工作工具准备：需要一台数字万用表，并确保其功能正常，放电处理：由于MOSFET内部可能存在电荷，建议先将三...

测量CS2N60（一种MOSFET场效应管）的步骤和注意事项如下：

1、准备工作

工具准备：需要一台数字万用表，并确保其功能正常。

放电处理：由于MOSFET内部可能存在电荷，建议先将三个引脚短路进行放电处理。

2、确定引脚

识别D极（漏极）：对于TO252、TO220等封装的MOSFET，散热片通常与D极相连，使用万用表的二极管档，将黑表笔接触散热片，红表笔分别接触另外两个引脚，如果显示为硅二极管的正向压降，则该引脚为S极（源极），剩下的引脚即为G极（栅极）。

识别S极和G极：找到D极后，将黑表笔接D极，红表笔分别接触其他两个引脚，若显示读数为一个硅二极管的正向压降，那么该引脚即为S极，剩下的那个引脚即为G极。

3、测量好坏

正向测量：将万用表量程开关调至二极管档，红黑表笔分别接触DS两极，好的管子应显示“OL”（溢出），调换红黑表笔，再次测量DS两极，万用表应显示一个硅二极管的正向压降。

反向测量：若MOSFET内部DS两极之间的寄生二极管击穿损坏，用二极管档测量时，万用表显示的读数接近于零。

电容充电：在确认DS两极良好之后，用二极管档给MOSFET的栅源两极之间的电容充电，对于N沟道MOSFET，红表笔接G极，黑表笔接S极。

电阻测量：充电后，用电阻档实测DS两极之间的正向电阻和反向电阻，一个好的N沟道MOSFET的正向电阻应在155.4Ω左右，反向电阻在67.2Ω左右。

4、参数说明

开启电压VT：使得源极S和漏极D之间开始形成导电沟道所需的栅极电压。

直流输入电阻RGS：在栅源极之间加的电压与栅极电流之比。

漏源击穿电压BVDS：在VGS=0的条件下，使ID开始剧增时的VDS。

栅源击穿电压BVGS：在增加栅源电压过程中，使栅极电流IG由零开始剧增时的VGS。

低频跨导gm：在VDS为某一固定数值的条件下，漏极电流的微变量和引起这个变化的栅源电压微变量之比。

导通电阻RON：漏极特性某一点切线的斜率的倒数。

极间电容：包括栅源电容CGS、栅漏电容CGD和漏源电容CDS。

低频噪声系数NF：表征放大器在没有信号输入时产生的噪声。

以下是关于CS2N60的一些常见问题及其解答：

Q1: 如何判断CS2N60的好坏？

A1: 通过数字万用表的二极管档和电阻档进行测量，使用二极管档测量DS两极的正向和反向电压，然后使用电阻档测量DS两极的正向和反向电阻，根据测量结果，可以判断CS2N60是否损坏。

Q2: CS2N60的主要参数有哪些？

A2: CS2N60的主要参数包括开启电压VT、直流输入电阻RGS、漏源击穿电压BVDS、栅源击穿电压BVGS、低频跨导gm、导通电阻RON、极间电容以及低频噪声系数NF。

通过上述步骤和注意事项，可以有效地测量CS2N60的好坏，并了解其主要参数。