如何判断效应管的尺寸和大小？

摘要： 场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件，场效应管分为结型场效应管（JFET）和金属氧化物半导体场效应管（M...

场效应管（Field Effect Transistor，FET）是一种利用电场效应来控制其电流大小的半导体器件，场效应管分为结型场效应管（JFET）和金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）两大类，以下是关于如何判断场效应管的大小的详细介绍：

1、场效应管的基本构造

漏极（Drain，D）：漏极是电流输出端，通常与电源正极连接。

源极（Source，S）：源极是电流输入端，通常与电源负极或地线连接。

栅极（Gate，G）：栅极是控制端，通过施加电压来控制漏极和源极之间的电流，栅极与其它电极之间通常是绝缘的，因此称为绝缘栅型场效应管。

2、场效应管的分类

N沟道和P沟道：N沟道场效应管在栅极电压为正时导通，而P沟道场效应管在栅极电压为负时导通。

增强型和耗尽型：增强型场效应管在栅极电压超过一定值时才导通，而耗尽型场效应管在栅极电压为零时也有导电能力。

3、场效应管的主要参数

饱和漏源电流（IDSS）：指当栅极电压UGS=0时，漏源之间的电流。

夹断电压（Up）：使漏源间刚截止时的栅极电压。

开启电压（UT）：加强型绝缘栅场效应管中，使漏源间刚导通时的栅极电压。

跨导（gm）：表示栅源电压对漏极电流的控制能力。

漏源击穿电压（BUDS）：正常工作时可接受的最大漏源电压。

最大耗散功率（PDSM）：性能不变坏时允许的最大漏源耗散功率。

最大漏源电流（IDSM）：正常工作时漏源间允许通过的最大电流。

4、场效应管的工作状态

截止区：当UGS小于开启电压UT时，MOS不导通。

可变电阻区：UDS很小，ID随UDS增大而增大。

恒流区：UDS变化，ID变化很小。

击穿区：UDS达到一定值时，MOS被击穿，ID突然增大。

5、如何判断场效应管的大小

查看数据手册：每个场效应管都有详细的数据手册，其中包含了各种电气参数和特性曲线，通过查阅数据手册，可以了解场效应管的具体规格和性能指标。

测量关键参数：使用万用表等工具测量场效应管的关键参数，如饱和漏源电流、夹断电压、开启电压等，这些参数可以帮助判断场效应管的大小和性能。

观察封装和标识：场效应管的封装上通常会有型号和标识，通过识别这些信息也可以了解到场效应管的具体规格和生产厂家。

6、场效应管的应用场景

放大电路：由于场效应管的输入阻抗高，适合用作多级放大器的输入级进行阻抗变换。

开关电路：场效应管可用作电子开关，广泛应用于开关电源和马达驱动等领域。

恒流源：场效应管可以方便地用作恒流源，提供稳定的电流输出。

7、场效应管的检测方法

离线检测：使用数字万用表的二极管档位，分别测量场效应管的三个引脚，好的场效应管最终只有一次有读数（约500左右）。

在线检测：在电路板上直接测量场效应管的各引脚电压，根据电压值判断场效应管的好坏。

8、场效应管的代换原则

N沟道代N沟道，P沟道代P沟道：在主板维修中，N沟道场效应管可以代换N沟道场效应管，P沟道场效应管可以代换P沟道场效应管。

功率大的可以代换功率小的：在选择代换场效应管时，应选择功率大于或等于原场效应管的型号。

9、场效应管的使用注意事项

防止静电击穿：场效应管的输入阻抗高，容易受到静电的影响，因此在操作时应采取防静电措施。

注意散热：大功率场效应管在工作中会产生大量热量，需要良好的散热措施以防止过热损坏。

以下是两个关于场效应管的常见问题及其解答：

问题1：场效应管的栅极为什么电流趋近于零？

答：场效应管的栅极与其它电极之间是绝缘的，因此栅极电流几乎为零，栅极只是通过改变电场来控制漏极和源极之间的电流，而不直接参与电流的流动。

问题2：场效应管的寄生二极管有什么作用？

答：场效应管的寄生二极管（体二极管）在驱动感性负载时非常重要，它可以在感性负载断电时提供续流通路，防止感应电动势损坏场效应管。

判断场效应管的大小需要综合考虑多个因素，通过查阅数据手册、测量关键参数以及观察封装和标识等方法，可以准确地判断场效应管的大小和性能，了解场效应管的应用场景和使用注意事项也是非常重要的。